...
机译:掺杂二维Si层中的量子约束效应:二维pn结结构的新型器件设计
Department of Science, Kanagawa University, Hiratsuka, Kanagawa 259-1293, Japan;
Department of Science, Kanagawa University, Hiratsuka, Kanagawa 259-1293, Japan;
Department of Science, Kanagawa University, Hiratsuka, Kanagawa 259-1293, Japan;
Department of Science, Kanagawa University, Hiratsuka, Kanagawa 259-1293, Japan;
Department of Science, Kanagawa University, Hiratsuka, Kanagawa 259-1293, Japan;
Department of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan;
机译:石英硅衬底上制造的二维Si层的量子约束效应的晶体方向依赖性:声子谱和能带结构的调制
机译:杂质掺杂对未来CMOS器件的二维n(+)和p(+)Si层中杂质带结构调制的影响
机译:二维CAFCL:超宽带隙,强夹层量子限制和n型掺杂
机译:通过插入应变InAs量子阱,将二维电子气更好地限制在In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As-In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As调制掺杂的结构中
机译:直径受控的半导体量子线的溶液-液-固(SLS)生长及其二维量子约束效应。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:层状无机/有机杂交(CDSE)Nomoamine纳米核:可控溶液合成,多级胺脱嵌性转化和二维激子量子限制效应
机译:一维和二维系统以及相关的亚微米和纳米结构器件中的量子输运,噪声和非线性耗散效应。