机译:TiN势垒层对高k /金属栅场效应晶体管的正偏置温度不稳定性的影响
Natl Tsing Hua Univ, Inst Elect, Hsinchu 300, Taiwan.;
Tunghai Univ, Dept Elect Engn, Taichung 407, Taiwan.;
Natl Tsing Hua Univ, Inst Elect, Hsinchu 300, Taiwan.;
Natl Chiao Tung Univ, Dept Elect Engn, Hsinchu 30010, Taiwan.;
机译:氮化对高k /金属栅P型金属氧化物半导体场效应晶体管中可恢复和永久性负偏压温度不稳定性的影响
机译:高k介电栅极氧化物的结晶对n沟道金属氧化物半导体场发射晶体管的正偏置温度不稳定性的影响
机译:通过掺入稀土金属,可大大降低高k /金属栅nFET中的正偏置温度不稳定性
机译:高k栅极电介质锗对P沟道场效应晶体管负偏置温度不稳定性的影响
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:钝化层对非晶InGaZnO薄膜晶体管正栅极偏置-应力稳定性的影响
机译:钝化层对钼二硫薄膜晶体管的正偏置温度不稳定性的影响
机译:高K场效应晶体管偏置温度不稳定性测量中的异常漏电压依赖性