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机译:变质InAlAs / GaAs(111)A上电信InAs量子点的液滴外延生长
Kyushu Univ, NIMS, Grad Sch Engn, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan.;
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050047, Japan.;
Kyushu Univ, NIMS, Grad Sch Engn, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan.;
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050047, Japan.;
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050047, Japan.;
Univ Milano Bicocca, L NESS, I-20125 Milan, Italy.;
Univ Milano Bicocca, L NESS, I-20125 Milan, Italy.;
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050047, Japan.;
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050047, Japan.;
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050047, Japan.;
机译:强烈不匹配的GaAs和InAs在Inalas缓冲层中的影响在变质InAs(Sb)/ InGaAs / Inalas / GaAs量子限制异质结构的结构和光学性质上
机译:自组装InAs量子点在InAlAs和与InP晶格匹配的InGaAs上的分子束外延生长
机译:液滴外延在缺陷位点上InAs / GaAs(001)量子点的优先成核苯胺生长
机译:通过液滴外延形成的GaAs表面上的量子点生长的新形态。液滴外延形成的纳米结构
机译:用于太阳能电池的高质量InAs / GaAsSb量子点的外延生长。
机译:GaAs(111)A衬底上的液滴外延生长InAs量子点的特性和热退火效应
机译:液滴外延在GaAs(111)基板上产生的液滴外延的ins量子点的表征及影响