机译:不同方法沉积的Ta2O5薄膜的组成以及湿度对其电阻切换行为的影响
Natl Inst Mat Sci, Int Ctr Mat Nanoarchitecton MANA, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Natl Inst Mat Sci, Int Ctr Mat Nanoarchitecton MANA, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Waseda Univ, Dept Phys, Shinjuku Ku, Tokyo 1698555, Japan;
Natl Inst Mat Sci, Int Ctr Mat Nanoarchitecton MANA, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
机译:在Pt / Ti / SiO_2 / Si衬底上沉积的BiFe_(0.95)Cr_(0.05)O_3薄膜中的多铁性和电阻性转换行为
机译:溅射沉积的掺杂V的SrZrO_3薄膜的稳定电阻切换行为
机译:原子层沉积钛酸锶薄膜的组成和结晶行为对Pt / STO / TiN器件电阻转换的影响
机译:SiO_2薄膜中的质子迁移率以及氢和湿度对电阻转换效应的影响
机译:五氧化二钒薄膜的电阻转换效应
机译:用于高级柔性存储应用的Lu2O3薄膜中的电阻开关行为
机译:原子层沉积钛酸锶薄膜的组成和结晶行为对Pt / STO / TiN器件电阻转换的影响