机译:溅射沉积的掺杂V的SrZrO_3薄膜的稳定电阻切换行为
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, No. 1001, Ta-Hsueh Rd., Hsinchu 300, Taiwan;
nonvolatile memory; resistive random access memory (RRAM); resistive switching; SrZrO_3; doping concentration;
机译:溅射沉积SrZrO_3:Cr存储膜中低电阻状态的电阻开关特性和设定电压依赖性
机译:衬底对掺V的SrTiO_3薄膜的电阻转换行为的影响
机译:离子束辅助溅射沉积BaTiO3薄膜的铁电极化和电阻转换特性
机译:V-SRZRO3溅射沉积电阻开关薄膜的等效电路分析
机译:通过反应磁控溅射沉积的亚稳态钛(0.5)铝(0.5)铝合金薄膜的物理性能。
机译:磁控溅射锂掺杂ZnO薄膜的电阻开关特性
机译:磁控溅射沉积的ZnMN2O4薄膜的基板温度依赖性的电阻切换行为
机译:环境稳定的溅射沉积薄膜