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机译:用于高电压和低导通电阻操作的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管技术
Univ Fukui, Grad Sch Engn, Fukui 9108507, Japan;
Univ Fukui, Grad Sch Engn, Fukui 9108507, Japan;
Univ Fukui, Grad Sch Engn, Fukui 9108507, Japan;
机译:带有渐变掺杂缓冲和倾斜背电极的高压RESURF AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的数值分析
机译:使用沟槽结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管用于高压开关应用
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管,采用附加栅极进行高压开关应用
机译:Si上初始AlN成核层顶部的AlGaN缓冲层的Al含量与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的垂直泄漏电流之间的关系
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:使用沟槽结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管用于高压开关应用