机译:高密度自旋电子器件的离子束刻蚀工艺及其通过氧淋淋后处理的损伤恢复
Tohoku Univ, Grad Sch Engn, Sendai, Miyagi 9808579, Japan|Samsung Elect Co Ltd, Semicond R&D Ctr, Hwasung 445701, Gyeonggi, South Korea;
Tohoku Univ, Grad Sch Engn, Sendai, Miyagi 9808579, Japan|Tohoku Univ, Ctr Innovat Integrated Elect Syst CIES, Sendai, Miyagi 9800845, Japan|Tohoku Univ, JST ACCEL, Sendai, Miyagi 9800845, Japan;
机译:通过氧气喷淋后处理过程恢复受损层来改善图案化磁性隧道结的电磁性能
机译:XPS对离子束刻蚀和反应离子束辅助化学刻蚀处理的单晶金刚石芯片损伤评估的研究
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机译:基于GaAs的量子纳米结构和器件的精确控制阳极蚀刻。