用于制造包括厚有源磁性层的自旋电子器件的工艺

摘要

本发明的一个方面涉及一种制造自旋电子器件的工艺，该自旋电子器件包括至少一个非磁性间隔件、参考层和包括至少一个磁柱的存储层，该工艺包括以下步骤：‑沉积至少一个牺牲层；‑形成至少一个扩口形腔体，穿过所述牺牲层；‑在所述腔体中沉积至少一个磁性层；‑去除腔体外部的多余的磁性层；‑去除介电层以便形成至少一个磁柱，磁柱形成存储层的全部或部分；‑至少沉积非磁性间隔件和参考层；‑利用介电材料填充磁柱之间的空间；‑抛光；‑在覆盖磁柱的元件的表面处形成电接触。