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【24h】

放射光を利用したベルク•バレット法による4H-SiC中の転位の観察

机译:用同步辐射通过Berg-Barrett方法观察4H-SiC中的位错

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摘要

放射光を用いたベルク•バレット法を用いて4H-SiC結晶中の基底面転位,貫通刃状転位,貫通らせん転位,ショックレー型基底面部分転位などを観察し,バーガース•べクトル,転位の向き,転位コントラストの関係を議論した.基底面転位では,Siコア刃状転位,Cコア刃状転位,バーガース•べクトルと転位の向きが平行な基底面らせん転位,反平行な基底面らせん転位のコントラストを整理した.また貫通刃状転位のバーガース•べクトルとコントラストの関係についても整理した.貫通らせん転位のコントラストについて議論した.ショックレー型部分転位のコントラストについてもSiコア,Cコア成分を持つ部分転位を整理することができた.さらに4H-SiCのABA'C'の積層の中のどの積層部に部分転位が存在するかを議論することができた.ベルク•バレット法をSiCテクノロジーの産業化において問題となっている技術課題に応用し,本稿で示された知見をもとに,問題解決のだめのいくつかの示唆を得ている.
机译:使用同步加速器辐射的Berg-Barrett方法观察了4H-SiC晶体中的基面位错,螺纹边缘位错,螺纹钉位错,Shockley型基面部分位错等。讨论了取向与位错对比之间的关系,讨论了基底平面位错,Si核边缘位错,C核边缘位错,Burgers矢量和位错平行的基底平面螺钉位错,以及反平行基底平面螺钉位错。此外,还总结了螺纹边缘位错的Burgers矢量与对比度之间的关系,讨论了螺纹位错的对比度,Si核和C核成分也包括在Shockley型部分位错的对比度中。可以理清所拥有的部分位错,并讨论4H-SiC ABA'C'堆中哪个堆叠部分具有部分位错。基于本文介绍的知识,通过将其应用于已成为工业化问题的技术问题,我们获得了一些解决问题的建议。

著录项

  • 来源
    《まてりあ》 |2015年第6期|279-285|共7页
  • 作者

    松畑洋文; 山口博隆;

  • 作者单位

    国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 〒305-3568 つくば市梅園1-1-1中央第2事業所;

    国立研究開発法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 〒305-3568 つくば市梅園1-1-1中央第2事業所;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-18 01:36:51

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