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机译:用于多指InGaP / GaAs集电极HBT的热管理的有效器件设计
Department of Electronic Engineering, Kun Shan University, Tainan 71003, Taiwan;
Department of Electronic Engineering, Kun Shan University, Tainan 71003, Taiwan;
Department of Engineering Science, National Cheng Kung University, 1 University Road, Tainan 70101, Taiwan;
heat-spread configuration (HSC); heterojunction bipolar transistors (HBTs); plated gold (PG); power amplifiers; thermal;
机译:高度紧凑的包装设计,可改善多指InGaP / GaAs集热HBT的热性能
机译:n-p-n和p-n-p GaAs / InGaAs / InGaP集电极上HBT的改善的热性能
机译:高效的散热器设计:首次演示InGaP /分级InGaAs基体/ GaAs集热HBT
机译:小型高功率放大器的多指GaInP集电极HBT封装配置设计的热性能分析
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:水热沉积ZnO纳米管结构提高InGaP / GaAs / Ge太阳能电池的效率
机译:InGaP / GaAs HBT技术在设备和阵列中电热效应分析