机译:高场电子注入下掺磷热SiO_2薄膜的MOS结构的电荷特性
Bauman Moscow State Technical University, Kaluga Branch, ul. Bazhenova 2, Kaluga, 248000 Russia;
Higher School of Economics National Research University, ul. Myasnitskaya 20, Moscow, 101000 Russia;
Bauman Moscow State Technical University, Kaluga Branch, ul. Bazhenova 2, Kaluga, 248000 Russia;
MOS structure; dielectric film; phosphosilicate glass; high electric fields; injection current; modification;
机译:温度对热SiO 2 sub>磷的高场喷射改性MIS结构的影响
机译:通过电离和高场注射混墨结构在MIS结构介电膜中的电荷过程模拟
机译:在辐射和高场电子注射的同时影响下,MIS结构介电薄膜的电荷效应
机译:电离辐射中的高场注射电子中的MIS结构介电膜中的电荷效应
机译:磷掺杂的n型和氢掺杂的p型CVD金刚石薄膜的光电研究。
机译:用于透明导电氧化物应用的掺磷SnO2薄膜:合成,光电性能和计算模型
机译:含有硅纳米晶的SiO_2薄膜中的局部电荷注入
机译:未掺杂和磷掺杂si:H和si,C:H薄膜的电子显微镜研究。