介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征

摘要

通过蒸发诱导白组装技术制备了具有不同有序结构的介孔SiO_2薄膜,并采用同步辐射X射线反射率以及慢正电子束流技术对其进行表征.实验结果表明,随着旋涂速率的增加,介孔结构由三维立方向二维六角结构转变,同时平均孔隙率随转速增加而减小.利用各向同性无机孔收缩模型和Fourier变换红外光谱.探讨了薄膜结构和正电子湮没参数的内在联系.