机译:同轴纳米线FET的电学特性的分析模型
Department of Electrical and Computer Engineering, Shiraz University, Shiraz, 7134851156, Iran;
Department of Electrical and Computer Engineering, Shiraz University, Shiraz, 7134851156, Iran;
Coaxial nanowire field effect transistor (CNWFET); Schottky barrier (SB); Ballistic transport;
机译:基于设备物理的单门扩展源隧道FET电气特性分析模型(SG-ESTFET)
机译:全方位栅纳米线FET,鳍式FET和完全耗尽的SOI FET的低温电特性比较
机译:Ge / Si SOI隧道FinFET电气特性的二维分析建模
机译:基于分析方法的同轴纳米线FET的电特性
机译:基于石墨烯的FET的电特性建模
机译:电连接应用SnAgCu合金纳米线的制备与特性
机译:在适用于CAD的时标上,首次展示了微波功率FET和MMIC的完全物理的,与时间相关的耦合电热仿真结果。这是通过将功率FET或MMIC中随时间变化的热流的原始分析热阻矩阵模型与晶体管的完全物理电CAD模型相结合来实现的。
机译:间隙绝缘同轴管:间隙绝缘同轴管性能特征的分析与实验研究。最终项目报告 - 第二和第三阶段