机译:氮化物,替代基板,HBT和电流镜
机译:使用氮化硅平坦化技术在低集电极电流下具有良好的高频性能的InP-HBT
机译:具有p-MOSFET电流镜型自偏置控制电路的低静态电流SiGe HBT驱动器放大器
机译:具有p-MOSFET电流镜型自偏置控制电路的低静态电流SiGe HBT驱动器放大器
机译:具有250 GHz电流截止频率的转移衬底HBT
机译:转移衬底HBT技术中改进的电流增益截止频率和高增益带宽放大器。
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:氮化物,替代基板,HBT和电流镜