机译:GaAs_(1-x)P_x和Al_x Ga_(1-x)As的组成和与温度有关的能带隙和本征载流子浓度
Department of Electronics and Instrumentation, Indian School of Mines, Dhanbad-826004, India;
bandgap; intrinsic carrier concentration; GaAs_(1-x)P_x and Al_xGa_(1-x)As;
机译:Ga_(1-x)Al_xAs,GaAs_(1-x)P_x和AlAs在压力下的能带结构计算
机译:用X射线衍射研究In_xGa_(1-x)As / GaAs和GaAs_(1-x)P_x / GaAs梯度外延膜的浓度和弛豫深度分布
机译:Ni_(2 + x)Mn_(1-x)Ga和Ni_2Mn(Ga_(1-x)Al_x)弹性特性的温度依赖性
机译:用各种GaAs_(1-x)N_X应变屏障的1300-nm in_(0.4)Ga_(0.014)AS_(0.014)N_(0.014)/ GaAs_(0.014)/ gaas_(0.014)/ gaas_(1-x)n_x量子孔激光器的仿真和分析
机译:X = 0.20、0.40和1.0的汞(1-X)镉(X)碲的缺省化学性质和内在载体浓度
机译:石墨烯一种用于高温器件的材料–固有载流子密度载流子漂移速度和晶格能
机译:混晶GaAs_(1-x)P_x(Te)深中心的电声耦合和光电特性
机译:胂含量对VpE(气相外延) - 氢化物技术制备的Ga(x)In(1-x)外延层组成,载流子浓度,迁移率和生长速率的影响