首页> 外文期刊>電子情報通信学会論文誌 >SiH_4-CH_4系ガスのグロー放電分解により生じるプラズマの発光特性
【24h】

SiH_4-CH_4系ガスのグロー放電分解により生じるプラズマの発光特性

机译:SiH_4-CH_4系统气体辉光放电分解产生的等离子体的发射特性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

モノシランとメタンの混合ガスの高周波グロー放電分解によって生じるプラズマの状態を,プラズマ発光分光分析により調べた.ガスをグロー放電分解させる方法としては,本研究で提案の原料ガス分離分解型プラズマCVD(SSP-CVD)法と従来型のダイオード法を用いた.これらの方法を用いて発生させたプラズマの発光特性の原料ガスの流量比及び高周波電力依存性を検討するとともに,発光状態と膜中元素の結合状態との関係について検討を行った.その結果,プラズマ中のSiHラジカル及びCHラジカルの発光強度がa-SiC:H膜中の炭素含有量とC-Si-H結合に関係することが分かった.更に,従来法に対しSSP-CVD法により生成したプラズマ中にはHラジカルに比べてH_2ラジカルが多く存在することが分かった.以上の結果からSiH_4-CH_4系ガスの分解プロセスについて検討した.
机译:通过等离子体发射光谱研究了由甲硅烷和甲烷的混合气体的高频辉光放电分解产生的等离子体状态。作为气体辉光放电分解的一种方法,使用了本研究中提出的源气体分离分解等离子体CVD(SSP-CVD)方法和常规的二极管方法。研究了源气体的流量比和使用这些方法产生的等离子体的发射特性的高频功率依赖性,并且研究了膜中元素的发射状态与键合状态之间的关系。结果发现,等离子体中的SiH自由基和CH自由基的发射强度与a-SiC:H膜和C-Si-H键中的碳含量有关。此外,发现与H自由基相比,在SSP-CVD方法产生的等离子体中H_2自由基比常规方法更丰富。基于以上结果,研究了SiH_4-CH_4系统气体的分解过程。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号