光熱励振カンチレバの共振特性を利用したマイクロデバイスの封止評価

摘要

あらまし　光マイクロデバイスに適用可能な光学式の封止評価技術を報告する．封止評価として，封止された デバイス外部の圧力を変化させながら，デバイス内部圧力を測定した．デバイス内部圧力測定は，デバイスに内蔵したマイクロカンチレバにおける機械的Q値の雰囲気圧力依存性を用いた・機械的Q億は，光熱励振によりカンチレバを共振させ，その振動変位を光干渉計により検出することにより求めた．カンチレバを内蔵したシリコン（Si）キャビティ（cavity）基板をガラス基板により封止した試験用封止サンプル（2．8×2．8×tl．0mm~3，キャビティ容積：1.9×10~(-3)cm~3）を作製し，デバイスのリーク検出が可能であることを示した．