A1_20_3基板上にY，Cu，BaF_2をスパッタ成膜した前駆体膜の後熱処理によるYBCO薄膜の作製

摘要

あらまし　Y，BaF_2，Cuのターゲットを用いた同時スパッタ．）ング法により，A1_20_3基板上に前駆体薄膜を成膜し，酸素中の後熱処理を施しYBCO膜を作製した．本手法により得られたYBCO超伝導膜の臨界温度（T_c）は75Kであった．A1_20_3基板を使用し，前駆体薄膜を後熱処理によりYBCO膜を形成する従来の報告例と比較して，15K高い値が得られた．厚さ方向のAES測定を行うことにより，YBCO膜の部分には，Fは存在せず，YBCO膜とAl_20_3基板との界面部には，BaF_2としてFが存在することが分かった．この界面部に存在するBaF_2が中間層あるいはバリヤ層として作用することによって，膜と基板の間での反応が抑制され，A1_20_3基板上での高い7もが実証できたものと考える．