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【24h】

単電子インバータに対するパラメータ変動の影響

机译:参数变化对单电子逆变器的影响

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摘要

相補型単電子インバータに対する回路の構成要素のパラメータ変動の影響を回路シミュレーションにより解析した.解析対象は入力が安定した状態における平均出力に対するパラメータ変動の影響であり,遷移状態は解析対象としていない.一つのパラメータのみが変動する場合は,単電子トランジスタに用いられるコンデンサの静電容量が小さすぎるときは出力が固定され,大きすぎるときは出力が不安定になる.コンデンサの静電容量の精確さの許容範囲は設計値に対して25%以内である.複数のパラメータが変動する場合は,すべてのパラメータがガウス分布に従って変動するものとして解析した.ガウス分布の分散が増加するとローレベルの入力に対する出力は減少し,ハイレベルの入力に対する出力は増加する.分散の許容限界は0.2と見積もられる.パラメータ変動の影響の大部分はコンデンサの静電容量の変動の影響であり,トンネル接合のパラメータの変動は平均出力にはほとんど影響しない.分散がここで示した許容限界であれば,多段接続した論理回路の動作にも影響は出ない.
机译:通过电路仿真分析了电路元件参数变化对互补单电子逆变器的影响。分析目标是当输入稳定且过渡状态不是分析目标时,参数波动对平均输出的影响。当仅一个参数波动时,当用于单电子晶体管的电容器的电容太小时,输出将固定,而当太大时,输出将变得不稳定。电容器的电容精度的允许范围在设计值的25%以内。当多个参数波动时,所有参数都会根据高斯分布波动。随着高斯分布的方差增加,低电平输入的输出减小,而高电平输入的输出增大。分散的容许极限估计为0.2。参数波动的大部分影响是由于电容器电容的波动,并且隧道结参数的波动几乎不会影响平均输出。如果色散是此处所示的允许极限,则不会影响多级连接的逻辑电路的操作。

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