先端半導体デバイスの基礎と応用小特集号(英文論文誌C)論一文某生

摘要

情報化社会の進展は，半導体集積回路・半導体デバイスの技術進歩無しには望めません．また，将来の知級基盤社会の構築にも，半導体デバイスの革新的な進歩に期待が寄せられています．微細化の限界を打破するためのシリコンULSIデ′くイス技術，通信容量を格段に飛躍させ号イヒ合物半導体デバイス，新機能を創出する量子効果デバイスなど，半導体デ′くイスの大きな挑戦が進んでいます．最近では，化合物半導体とシリコンの融合集積化も研究が進められています．このような背景から，最先端半導体デバイスの研究動向を解介することを目的に『先端半導体デ′くイスの基礎と応用』と摩して小特集号（空成24年5月号）を企画致しました．多くの方々の積極的な御投稿をお磨い致します．