机译:高Ge组成的应变Si_(1-x)Ge_x中电子迁移率的研究
Institute for Microelectronics, TU Vienna, Vienna, Austria;
Monte Carlo simulation; strained SiGe; low field electron mobility; doping and strain effects;
机译:应变n型Si_(1-x)Ge_x / Si / Si_(1-x)Ge_x双势垒结构中的电子隧穿
机译:任意取向Si_(1-y),Ge_y衬底上应变Si_(1-x)Ge_x层中电子迁移率的蒙特卡洛模拟
机译:在松弛的Si_(1-x)Ge_x缓冲层上生长的应变硅/应变硅(1-y)Ge_y /应变硅异质结构中改善了热稳定性和空穴迁移率
机译:在SI_(1-X)GE_X / IL接口处的电子缺陷带:接近压缩紧张SI_(1-x)GE_X PFET中的固有载波传输
机译:应变的铟(0.52)铝(0.48)砷化物/铟(x)镓(1-x)砷化物(x大于0.53)高电子迁移率晶体管(HEMT),用于微波/毫米波应用。
机译:离子淌度质谱在离子团簇研究中的应用:具有稳定大小和组成的团簇离子的研究
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型