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机译:环形振荡器延迟引起的部分耗尽MOSFET的应力感应电容
National University of Kaohsiung,Kaohsiung, Taiwan;
partially depleted MOSFET; strained channel; piezoresistancecoefficient; ring oscillator; stress-induced capacitance;
机译:围绕栅极MOSFET(SRGMOSFET)的基于连续电荷的显式紧凑模型,可在部分耗尽到完全耗尽之间平滑过渡
机译:模拟完全耗尽,部分耗尽和人体接地的SOI MOSFET的浮体效应
机译:0.25μm全耗尽SOI MOSFET,用于RF混合模拟数字电路,包括与部分耗尽器件的高频噪声参数相关的比较
机译:使用环形振荡器延迟的应力感应电容近似
机译:适用于部分耗尽型绝缘体上硅(SOI)MOSFET的面积有效体接触。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:关于部分耗尽sOI mOsFET的RF外部电阻提取