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高温成膜したチタン酸バリウムストロンチウム薄膜を用いた可変容量の集積化プロセス

机译:使用高温沉积钛酸锶锶薄膜的可变电容集成工艺

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摘要

チタン酸バリウムストロンチウム(BST)を用いた可変容量を集積回路上に形成するために,別のSi基板に成膜したBSTをポリイミドを介して集積回路基板に接合し,Si基板をエッチングで除去することによってBST膜を集積回路基板にトランスファする集積化プロセスを開発した.誘電率可変特性に優れるBSTは高温で成膜しなくてはならないが,このトランスファ法によつて耐熱性の低い基板上でもBST膜を利用できる.プロセスの途中でBST膜がSF_6/Arプラズマにさらされると,BST膜表面に誘電率の低いBaとSrのフッ化物が形成され,BST膜の見かけ上の誘電率が低下することが分かった.この問題二ついて実験的検証と考察を行い,BST膜の劣化を防ぐプロセスを構築し,ダミー回路基板上にBST可変容量を作製した.
机译:为了在集成电路上使用钛酸钡锶(BST)形成可变电容器,将形成在另一Si基板上的BST经由聚酰亚胺接合至集成电路基板,并且通过蚀刻去除Si基板。我们已经开发出一种将BST膜转移到集成电路板上的集成工艺,尽管必须在高温下形成具有优异介电常数可变特性的BST,但是即使在耐热性低的基板上也可以使用这种转移方法。可以使用BST膜,在此过程中将BST膜暴露于SF_6 / Ar等离子体中,会在BST膜的表面形成低介电常数的Ba和Sr氟化物,从而降低BST膜的表观介电常数。我们针对这两个问题进行了实验验证和考虑,构建了防止BST膜劣化的工艺,并在虚拟电路板上制造了BST可变电容器。

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