GaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの動作特性評価と解析

摘要

ナノワイヤ3分岐接合デバイスは，低温から室温までの広い温度領域において特異な非線形特性を示し，論理回路や高周波回路への応用が期待されている.回路応用においては，メカニズムの理解と目的に応じた特性制御が必要である.本稿ではショットキーラップゲートを備えたGaAsナノワイヤ3分岐接合のデバイスの試作とその詳細評価を行い，ショットキーラップゲートやナノワイヤ長が非線形特性および動作速度に与える効果を調べ，非線形特性メカニズムや特性制御について検討を行った.%Three-branch nanowire junction devices show nonlinear electrical characteristics from the low temperature to the room temperature, and they are expected to be applied to logic and high frequency circuits. In such application, understanding the mechanism and control of characteristic are necessary. In this study GaAs-based three-branch nanowire junction devises having Schottky wrap gates are fabricated and characterized in detail, including the effect of Schottky wrap gate and nanowire length on nonlinear characteristics and operation speed.