100Gbit/sイーサネット用の1.3μm 帯電界吸収型変調器集積レーザによる25Gbit/s，シングルモードファイバ40km 伝送

摘要

We have developed 1.3-um electroabsorption modulator integrated with DFB laser for middle- and long-distance 100 Gbit/s Ethernet. To ensure enough extinction ratio at 1.3-um band, tensile strained quantum well absorbing layer made with InGaAlAs-based material which has larger conduction band offset compared with that of InGaAsP. Butt-joint technique is employed to couple EA modulator and DFB laser in order to optimize the structure separately. Fabricated device is packaged to a butterfly module and the small-signal 3 dB bandwdth is 33 GHz. By using the module, we demonstrate 10- and 40-km transmission on single mode fiber at the modulation speed of 25 Gbit/s at 40 degrees Celcius.%中、長距離用の100Gbit/sイーサネットに対応可能な、1.3μm 帯の電界吸収型変調器集積レーザを開発した。1.3μm 帯での大きな消光比を確保するために、従来のInGaAsP 系材料では無く、伝導帯バンドオフセットの大きなInGaAlAs系の材料を用い、また、引張歪の量子井戸を採用している。レーザと変調器部はバットジョイント構造を用いて結合し、それぞれの層構造の最適化を独立に行うことができるようにしている。作製した素子を実装したモジュールの小信号3dB帯域は33GHzであり、それを用いて、40℃において伝送速度25Gbit/s、シングルモードファイバ上での10、40km 伝送を達成したのでここで報告する。