InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス

摘要

Field-assisted self-assembly process (FASA) of InAs and InAs/InP core-shell nanowires onto a Si substrate has been investigated. The dependence of the FASA yield on the frequency of the AC voltage applied between the FASA electrodes is examined. Furthermore, nanowires are deposited onto a MOS substrate to obtain an nMOS inverter. It is confirmed that the inverter operates properly.%電界アシスト自己堆積プロセス(FASA)を用いてInAsナノワイヤをSi基板上に堆積した。InAsナノワイャ及びInAs/InPコアシェルナノワイヤに関して、FASA歩留まりの周波数依存性を比較した。また、FASAによりナノワイヤをクロス型に堆積することを試みた。さらに、nMOSFETとナノワイヤを用いたインバータを作製し、回路動作を確認した。