电子束诱导沉积纳米线的电阻与场发射特性

摘要

运用电子束诱导沉积技术在钨针尖表面沉积钨纳米线.在透射电子显微镜中,原位测量单根纳米线的电阻与场发射特性,并观察其显微结构变化.样品台为特制的电性能测试样品台,包括步进电机和压电陶瓷驱动的装置.导电铜片作为与纳米线相对的另一极.自行设计制作锁相放大器电路测量纳米线的电阻.结果表明,纳米线的电阻为0.1～10-3 Ωm量级.纳米线头部的几何缺陷将影响其场发射特性.纳安级电流将改变纳米线头部的几何结构与微观结构.场发射开启电压比结构变化前低11 V左右.