微細Si貫通ビアによる三次元インタコネク卜技術

摘要

これまでLSIは，微細加工技術の進歩に伴う半導体素子の微細化により，著しい速度で高性能化，大容量化が達成されてきた.しかし，微細加工技術が10nmの壁に近づくにつれて，素子の微細化に伴う様々な問題が指摘されるようになっている.