机译:最小化电特性波动的纳米器件制造的耦合模拟和优化方法
CMOS integrated circuits; nanoelectronics; optimisation; semiconductor process modelling; CMOS device; complementary metal-oxide-semiconductor device; coupled-simulation-and-optimization approach; electrical characteristics fluctuation; nanodevice fabrication; Ch;
机译:基于Au-Ag @ CS-FA杂化粒子的基因传递纳米器件的制备和特性
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机译:通过使用多通道纳米线和NH_3等离子处理,将全能栅极薄膜晶体管的电特性变化降至最低
机译:具有最小化电气特性波动的纳米制制造的耦合仿真和优化方法
机译:PZT纳米纤维和纳米器件的电学表征
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机译:复杂网络的波动:单蛋白纳米器件的电学特性