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机译:200mm工程基板上的650 V GaN电源IC的集成
IMEC B-3001 Leuven Belgium|Katholieke Univ Leuven Dept Elect Engn B-3001 Leuven Belgium;
IMEC B-3001 Leuven Belgium;
IMEC B-3001 Leuven Belgium;
IMEC B-3001 Leuven Belgium;
IMEC B-3001 Leuven Belgium;
IMEC B-3001 Leuven Belgium;
IMEC CMST B-3001 Leuven Belgium|Univ Ghent Dept Elect & Informat Syst B-9052 Ghent Belgium;
IMEC B-3001 Leuven Belgium;
AIXTRON SE D-52134 Herzogenrath Germany;
AIXTRON SE D-52134 Herzogenrath Germany;
AIXTRON SE D-52134 Herzogenrath Germany;
Qromis Inc Santa Clara CA 95051 USA;
Qromis Inc Santa Clara CA 95051 USA;
Qromis Inc Santa Clara CA 95051 USA;
IMEC B-3001 Leuven Belgium;
IMEC B-3001 Leuven Belgium|Katholieke Univ Leuven Dept Elect Engn B-3001 Leuven Belgium;
IMEC B-3001 Leuven Belgium;
GaN; HEMTs; power ICs; engineered substrates;
机译:在200mm工程衬底上演示带片上驱动器的GaN集成半桥
机译:通过多层转移过程集成GaAs,GaN和Si-CMOS在共同的200mM Si衬底上
机译:在200-mm Si(111)衬底上采用CMOS兼容工艺和集成工艺制造AlGaN / GaN MIS-HEMT的工艺一致性和挑战
机译:200 mm工程衬底上的650 V p-GaN栅极功率HEMT
机译:基于GaN的电力IC的集成技术与底串串的研究
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:200毫米增强型P-GaN Hemts在200毫米GAN-ON-SOI上制造,具有用于单片集成的沟槽隔离
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管