机译:非钳位和钳位感应开关下电热不均匀对并联SiC功率器件的影响
School of Engineering, University of Warwick, Coventry, U.K.;
Parasitic Bipolar Latch-up; Parasitic bipolar latch-up; SiC Power MOSFETs; SiC power MOSFETs; Unclamped Inductive Switching; unclamped inductive switching (UIS);
机译:反复非钳位电感开关试验对直流断路器SiC功率器件的降解特性
机译:功率MOSFET的未钳位电感开关(UIS)期间的电热效应
机译:功率MOSFET器件的新热模型考虑了未钳位电感开关的行为
机译:功率MOSFET器件的二维模型考虑了未钳位的感应开关条件下的行为
机译:有源钳位电路技术,用于面积有效的集成功率晶体管,用于开关电感负载。
机译:a图品质因数的高性能感应电能传输链路的设计植入微电子器件
机译:非交错感应开关下超结功率mOsFET的新型三维电热鲁棒性优化方法