机译:用于兆赫兹操作的新型高压共源共栅氮化镓器件封装
Bradley Department of Electrical and Computer EngineeringCenter for Power Electronics Systems, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, VA, USA;
Cascode structure; gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT); high frequency; packaging; stack-die structure;
机译:亚太经合组织(APEC)指导工程师获得功率器件,组件和封装的最新进展:高压氮化镓晶体管和新一代数字控制器
机译:使用氮化镓共源共栅开关器件降低功率转换器/逆变器的共模电磁干扰
机译:封装的级联氮化镓镓场效应晶体管的寄生电容比较
机译:用于兆赫兹操作的新型高压共源共栅氮化镓器件封装
机译:双电压Cascode氮化镓(GaN)装置的实验评估双向DC-DC转换器
机译:氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面制备和沉积的栅极氧化物
机译:基于氮化镓MIS-HEMT CASCODE器件的可靠性表征,用于电力电子应用