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Dependence of total dose response of bipolar linear microcircuits on applied dose rate

机译:双极线性微电路总剂量响应对所施加剂量率的依赖性

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摘要

The effect of dose rate on the total dose radiation hardness of three commercial bipolar linear microcircuits is investigated. Total dose tests of linear bipolar microcircuits show larger degradation at 0.167 rad/s than at 90 rad/s even after the high dose rate test is followed by a room temperature plus a 100/spl deg/C anneal. No systematic correlation could be found for degradation at low dose rate versus high dose rate and anneal. Comparison of the low dose rate with the high dose rate anneal data indicates that MIL-STD-883, Method 1019.4 is not a worst-case test method when applied to bipolar microcircuits for low dose rate space applications.
机译:研究了剂量率对三种商用双极线性微电路总剂量辐射硬度的影响。线性双极微电路的总剂量测试显示,即使在高剂量率测试之后进行室温加100 / spl deg / C退火之后,在0.167 rad / s的情况下的总剂量测试也比在90 rad / s的情况下的降解更大。在低剂量率与高剂量率以及退火条件下,没有发现降解相关的系统性关系。低剂量率与高剂量率退火数据的比较表明,当将MIL-STD-883方法1019.4应用于低剂量率空间应用的双极微电路时,不是最坏情况的测试方法。

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