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机译:CMOS 65 nm SRAM中Alpha发射器引起的软错误率的地下实验和建模
Microelectronics and Nanosciences of Provence (IM2NP, UMR CNRS 6242), Bâtiment IRPHE, Aix-Marseille Univ. and CNRS, Institute of Materials, Marseille Cedex 13, France;
Alpha emitter; contamination; real-time testing; secular equilibrium; single-event rate (SER); static memory; uranium; uranium disintegration chain;
机译:CMOS 130 nm SRAM中的Alpha粒子引起的软错误率
机译:采用65 nm CMOS技术制造的标准和辐射硬化SRAM中的Alpha诱导的多个单元异常
机译:批量65 nm和40 nm SRAM中实时软错误率测量的多泊松过程分析
机译:CMOS 65nm SRAM中Alpha粒子引起的软错误率的地下表征和建模
机译:65 nm CMOS技术中毫米波/太赫兹电路耦合传输线的电磁建模。
机译:使用65 nm CMOS技术单片集成的CMOS-NEMS铜开关
机译:在65nm CMOS散装SRAM上提供重离子诱导的电源电压依赖性