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机译:CMOS技术对重离子辐照的单事件闩锁灵敏度的角度依赖性分析
The French Aerospace Lab, ONERA, Toulouse, France;
Angle effects; SEL; SER; electrical characteristics; heavy ions; modeling; single-event latchup; static measurements;
机译:CMOS技术中基于物理和电气瞬态耦合的单事件闭锁建模
机译:通过脉冲激光背面辐射测试评估CMOS LSI IC中单事件闭锁效应的灵敏度参数
机译:双极互补MOSFET(BiCMOS)硅锗技术中的CMOS闩锁和静电放电(ESD)综述:第二部分-闩锁
机译:重离子辐照下三星和微米8Gb SLC NAND闪存的SEU和MBU角度依赖性
机译:先进CMOS技术中重离子,中子和α粒子诱导的单事件瞬态脉冲宽度的表征。
机译:X射线和重离子辐照仓鼠肺的早期效应的形态学和形态计量学分析。
机译:基于cmos技术中耦合物理和电气瞬态仿真的单事件闩锁建模