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机译:对辐射硬化的CMOS图像传感器暴露于超高压总电离剂量的退火效应
Image Sensor Research Team ISAE-SUPAERO Université de Toulouse Toulouse France;
Image Sensor Research Team ISAE-SUPAERO Université de Toulouse Toulouse France;
CEA DAM DIF Arpajon France;
Image Sensor Research Team ISAE-SUPAERO Université de Toulouse Toulouse France;
Image Sensor Research Team ISAE-SUPAERO Université de Toulouse Toulouse France;
Image Sensor Research Team ISAE-SUPAERO Université de Toulouse Toulouse France;
Image Sensor Research Team ISAE-SUPAERO Université de Toulouse Toulouse France;
Laboratoire Hubert Curien UMR-CNRS 5516 Université de Saint-Etienne Saint-Etienne France;
Laboratoire Hubert Curien UMR-CNRS 5516 Université de Saint-Etienne Saint-Etienne France;
CEA DAM DIF Arpajon France;
Centre de Saclay IRSN Fontenay-aux-Roses France;
New AREVA Lyon France;
OPTSYS Saint-Etienne France;
Andra Chatenay-Malabry France;
Image Sensor Research Team ISAE-SUPAERO Université de Toulouse Toulouse France;
Annealing; Radiation effects; Degradation; Transistors; Radiation hardening (electronics); Logic gates; Dark current;
机译:深度沟道隔离对CMOS图像传感器的量子效率和暗电流的总电离剂量影响
机译:固定光电二极管CMOS图像传感器中的辐射效应:由于总电离剂量导致像素性能下降
机译:用于纳米卫星的采用180 nm CMOS技术的辐射硬化混合信号微控制器SoC的总电离剂量特性
机译:Multi-MGy总电离剂量诱导的MOSFET可变性对辐射硬化CMOS图像传感器性能的影响
机译:单事件瞬态和总电离剂量对低于10 nm节点CMOS的III-V MOSFET产生影响。
机译:基于不同剂量率的CMOS图像传感器的高清摄像机核辐射降解研究
机译:在0.18μmCmOs图像传感器工艺中,总电离剂量对mOs晶体管的I-V和噪声特性的影响