机译:纳米MOSFET中单电荷陷阱的影响-静电与传输效应
MOSFET; Monte Carlo methods; electron traps; electrostatics; impurity scattering; nanotechnology; semiconductor device measurement; semiconductor process modelling; transport processes; 10 nm; 20 nm; 30 nm; Monte Carlo simulations; ab initio Coulomb scattering; drain-;
机译:单电荷陷获对超尺度平面和Trigate FDSOI MOSFET变异性的影响:实验与仿真
机译:载体捕获和离子迁移对具有TiO(x)电子传输层的钙钛矿太阳能电池电荷运输的影响
机译:载体捕获和离子迁移对具有TiOx电子传输层的钙钛矿太阳能电池电荷运输的影响
机译:寄生MOSFET和陷阱对锗量子点单电子/空穴晶体管电荷传输特性的影响。
机译:处理表面状态的传输拐点和电荷陷阱对AlGaN / GaN HFET漏极电流的影响。
机译:葡聚糖改性离子交换介质中的蛋白质吸附和转运。 III。树脂电荷密度和葡聚糖含量对吸附和骨盆内摄取的影响
机译:纳米MOSFET中单次电荷陷阱的影响—静电对输运效应的影响