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机译:低于30 nm通道的高性能Si线GAA MOSFET的栅场工程和源/漏扩散工程以及低功耗策略
Department of Electronics, Kansai University, Osaka, Japan;
Drivability; gate all around (GAA); low standby power; short-channel effects; silicon on insulator (SOI); sub-30-nm channel; wire;
机译:低于30 nm通道的高性能Si线GAA MOSFET的栅极场工程和源极/漏极扩散工程以及低功耗策略
机译:具有源/漏工程的非对称InGaAs / InP MOSFET
机译:利用全面的源极漏极扩展工程技术,针对32 nm节点高性能pMOSFET技术,积极探索嵌入式SiGe的接近性
机译:使用全带蒙特卡罗模拟的高性能深度级GE-PMOSFET的源/排水工程
机译:适用于超大规模MOSFET的源/漏工程。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:InGaAs n-MOSFET的源/漏工程,用于逻辑器件应用