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机译:通过液滴外延观察在光刻图案化的GaAs(100)表面上的Ga金属液滴形成
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China;
Density control; Ga droplet; GaAs (100); droplet epitaxy (D-E); high-resolution scanning electron microscope (HR-SEM); molecular beam epitaxy (MBE); patterned growth;
机译:在相同的生长环境下,通过液滴外延在光刻图案化的GaAs(100)上的Ga金属液滴的密度和大小形成鲜明对比
机译:In_(0.5)Ga_(0.5)液滴量变化时,通过液滴外延生长的InGaAs量子环的表面形态和光致发光
机译:液滴分子束外延形成GaAs / AlGaAs和InGaAs / GaAs纳米环
机译:图案化表面形态特征对液滴外延期间/ GaAs纳米结构成核过程的影响
机译:用于等离子和液滴外延的镓金属纳米颗粒:形成和性质
机译:通过分子束外延在图案化的GaAs(100)上形成Ga液滴
机译:通过分子束外延在图案化的GaAs(100)上形成Ga液滴
机译:电化学原子层外延法在au(100),(110)和(111)表面沉积Gaas的初步研究