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机译:外延结构对AlGaN / GaN HEMTs噪声系数的影响
Electrical and Computer Engineering Department, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA 93106 USA;
AlGaN; GaN; high electron-mobility transistor (HEMT); noise figure; Pospieszalski; Pucel; van der Ziel;
机译:纳米异质结构中势垒层的厚度和栅漏电容对场效应AlGaN / GaN HEMT微波和噪声参数的影响
机译:硅上具有低噪声系数的高性能0.1-muhbox {m} $栅极AlGaN / GaN HEMT
机译:栅极泄漏对AlGaN / GaN HEMT噪声系数的影响
机译:异质结构设计对AlGaN / GaN HEMTs噪声系数的影响
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:凹入式栅极结构对具有薄AlOxNy MIS栅极的AlGaN / GaN-on-SiC MIS-HEMT的影响
机译:外延结构在Algan / GaN Hemts噪声系列中的影响
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管