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机译:平衡的Colpitts GaN HEMT MMIC振荡器的准确相位噪声预测
Department of Microtechnology and Nanoscience (MC2), Chalmers University of Technology, GigaHertz Center, Göteborg, Sweden|c|;
Cyclo-stationary noise; GaN HEMT; low-frequency (LF) noise; monolithic microwave integrated circuit (MMIC); oscillator; phase noise;
机译:专为超低相位噪声设计的平衡式Colpitt振荡器MMIC
机译:X波段超低相位噪声GaN HEMT腔谐振器的相位噪声分析
机译:针对低相位噪声,基于InP的MMIC振荡器的改进HEMT模型
机译:宽带1至6 GHz十瓦和二十瓦平衡GaN HEMT功率放大器MMIC
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:用于收发器前端的宽带平衡AlGaN / GaN HEMT MMIC低噪声放大器
机译:高功率,高效率sspas中siC和蓝宝石mmIC上微波alGaN / GaN HEmT的沟道温度模型