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【2h】

A wideband balanced AlGaN/GaN HEMT MMIC low noise amplifier for transceiver front-ends

机译：用于收发器前端的宽带平衡AlGaN / GaN HEMT MMIC低噪声放大器

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A 3-16 GHz wideband AlGaN/GaN highudelectron mobility transistor (HEMT) low noise amplifierud(LNA), using balanced configuration with a coplanarudwaveguide (CPW) Lange coupler, is designed and fabricated.udThe LNA shows a minimum noise figure of 4 dB withudassociated gain of 20 dB and gain flatness of +/
机译：设计并制作了一个3-16 GHz宽带AlGaN / GaN高德电子迁移率晶体管（HEMT）低噪声放大器 ud（LNA），使用了共面 ud波导（CPW）兰格耦合器的平衡配置。 udLNA显示最小噪声系数为4 dB，相关增益为20 dB，增益平坦度为+ /

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