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机译:SiC上AlGaN-GaN HEMT的非线性热阻和脉冲热动力学行为
Department of Electrical, Electronic and Information Engineering (DEI), University of Bologna, Bologna, Italy;
Channel temperature; GaN HEMT; thermal resistance; transient thermal resistance;
机译:SiC衬底上多指AlGaN / GaN HEMT的热阻建模,仿真和分析
机译:SiC衬底上的AlGaN / GaN HEMT中的热边界电阻基准测试:成核层微结构的含义
机译:微波长度对0.15μm栅极长度的AlGaN / GaN / SiC HEMT的S_(22)扭折行为的热影响
机译:AlGaN / GaN HEMT的GaN-SiC接口热边界电阻基准测试:美国,欧洲和日本供应商
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:动态R 对SIC基材P-GaN Algan / GaN Hemts降解的动态R 的热效应
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。