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机译:新型AlGaN / GaN HEMT为0.15-的陷阱的动态性能和使用不同测量技术的表征
XLIM Laboratory CNRS XLIM UMR 7252 University of Limoges Brive France;
UMS United Monolithic Semiconductors Villebon-sur-Yvette France;
XLIM Laboratory CNRS XLIM UMR 725;
Temperature measurement; Current measurement; Electrical resistance measurement; Logic gates; Thermal resistance; Voltage measurement;
机译:宽带瞬态测量宽带瞬态测量100纳米ALN / GAN / Algan-On-Si-obt中电荷捕获动力学的实验表征
机译:通过C-V和DLTS测量对硅衬底上的AlGaN / GaN FAT-HEMT中的陷阱进行电学表征
机译:通过低频S参数测量和基于TCAD的物理设备仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱
机译:长期正向栅极应力后p-GaN AlGaN / GaN HEMT中自恢复栅极退化的观察:空穴/电子的俘获和去俘获动力学
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:通过C-V和DLTS测量对硅衬底上的AlGaN / GaN FAT-HEMT中的陷阱进行电学表征