机译:通过C-V和DLTS测量对硅衬底上的AlGaN / GaN FAT-HEMT中的陷阱进行电学表征
机译:界面陷阱和体陷阱对LPCVD-SiNx / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体结构的C-V表征的影响
机译:硅衬底上GaN / AlGaN中二维电子气的电特性
机译:C-V表征AlGaN-GaN异质结构中的陷阱行为
机译:I-DLTS,电滞后和低频噪声测量,用于可靠性研究中的AlGaN / GaN HEMT中的俘获效应
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:通过C-V和DLTS测量对硅衬底上的AlGaN / GaN FAT-HEMT中的陷阱进行电学表征