机译:用于亚100%隧道磁阻比下可维纳MRAM产量的三倍感应电流余量
National ASIC System Engineering Center Southeast University Nanjing China;
National ASIC System Engineering Center Southeast University Nanjing China;
National ASIC System Engineering Center Southeast University Nanjing China;
National ASIC System Engineering Center Southeast University Nanjing China;
Laboratoire Traitement et Communication de l'Information Télécom Paris Palaiseau France;
Sensors; Tunneling magnetoresistance; Latches; Magnetic tunneling; Resistance; IP networks; Nonvolatile memory;
机译:CSME:高产STT-MRAM的新型循环传感保证金增强方案
机译:每单元四态磁隧道结MRAM的开关电流传感架构
机译:L形隧道场效应晶体管的1T DRAM,具有改善的读取电流比,保留时间和感测边距
机译:嵌入式自旋转移矩MRAM的具有大传感裕度的新型传感电路
机译:具有用于配电监测的巨型磁阻传感器的非侵入式电流检测
机译:具有大隧道磁阻的原子厚钨工程垂直磁隧道结中的电流感应磁化转换
机译:电流路径对隧道磁电阻测量的影响 基于Gamnas的磁隧道中的自旋转矩临界电流密度 路口
机译:低温下应变InGaas量子阱激光器的低于100μa的电流操作。