首页> 外文期刊>IEEE transactions on device and materials reliability >Origin of Vt instabilities in high-k dielectrics Jahn-Teller effect or oxygen vacancies
【24h】

Origin of Vt instabilities in high-k dielectrics Jahn-Teller effect or oxygen vacancies

机译:高k电介质Jahn-Teller效应或氧空位中Vt不稳定性的起因

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

In this paper, an analysis of the trapping in high- dielectrics and its origin is given. It is found that the defect is consistent with oxygen vacancies in monoclinic hafnia. Finally, guidelines are proposed to reduce these instabilities.
机译:在本文中,对高电介质中的陷阱及其起源进行了分析。发现该缺陷与单斜氧化镁中的氧空位一致。最后,提出了减少这些不稳定性的指南。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号