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机译:应变或锗含量对纳米级应变Si / SiGe体MOSFET阈值电压的影响
Nanoscale strained-Si/SiGe MOSFET; short-channel effects; simulation; threshold voltage; two-dimensional modeling;
机译:硅-绝缘体上锗(SGOI)MOSFET上的纳米级完全耗尽应变硅的紧凑分析阈值电压模型
机译:纳米级si / sige mosfets的分析漏电流模型
机译:绝缘体上锗化硅(SGOI)MOSFET上堆叠式三材料门(TMG)应变硅(s-Si)的阈值电压的解析模型
机译:纳米级应变Si / SiGe MOSFET阈值电压的紧凑建模
机译:阈值电压不稳定性对碳化硅mosfet可靠性的原因和影响
机译:有序SiGe点上的应变MOSFET
机译:纳米级应变 - Si / SiGe和双栅MOSFET造型