机译:纳米级si / sige mosfets的分析漏电流模型
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, New Delhi, India;
electric current; SIMULATION; input/output analysis; electric field effects; field-effect transistors;
机译:应变硅/应变硅_(1-Y)Ge_Y /松弛硅_(1-X)Ge_X的漏极电流分析模型用于电路仿真的NMOSFET和PMOSFET
机译:包含量子效应的si / sii_agex / si双向栅MOSFET的漏极电流模型
机译:用于电路仿真的Si / SiGe异质结构p沟道MOSFET漏极电流的分析模型
机译:用于模拟电路仿真的纳米级应变-Si / SiGe MOSFET的分析漏极电流模型
机译:用于纳米级MOSFET应用的栅极和源极/漏极工程。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。