机译:包含量子效应的si / sii_agex / si双向栅MOSFET的漏极电流模型
Nanoelectronics Center of Excellence, School of Electrical and Computer Engineering,University of Tehran, Tehran, Iran;
Nanoelectronics Center of Excellence, School of Electrical and Computer Engineering,University of Tehran, Tehran, Iran;
School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907,USA;
机译:包括量子效应的应变硅MOSFET的阈值电压和亚阈值斜率建模
机译:纳米级si / sige mosfets的分析漏电流模型
机译:应变硅/应变硅_(1-Y)Ge_Y /松弛硅_(1-X)Ge_X的漏极电流分析模型用于电路仿真的NMOSFET和PMOSFET
机译:完全耗尽的对称双栅极(DG)应变Si MOSFET的分析表面电势模型,包括界面电荷的影响
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:纳米级应变 - Si / SiGe和双栅MOSFET造型